Ⅲ-Ⅴ族化合物由于其工业化生产技术非常成熟，如果能够将这种产业转化到热电应用，这样将大大缩减热电材料应用的工业化进程。本论文以Ⅲ-Ⅴ族化合物中的InSb化合物为研究对象，研究了InSb化合物的取向性及Zn掺杂对InSb材料热电性能的影响规律，同时研究了熔体旋甩工艺对InSb材料的微结构及热电性能的影响规律，并通过微调Sb的量优化其热电性能。采用熔融缓冷法制备了InSb化合物，研究了其微结构和热电性能的各向异性，研究表明，InSb结晶具有择优取向，沿（331）方向择优生长。然而电热传输特性上未表现出各向异性，在700K左右ZT值达到最大值0.41。采用熔融缓冷法制备了ZnxIn1-xSb，研究了Zn掺杂量对样品电热传输特性的影响规律，结果表明，Zn的最大置换量约为0.05，当Zn含量增加时，部分Zn以ZnSb第二相存在。所有Zn掺杂样品均表现为p型传导，随Zn置换量的增加室温载流子浓度Np增大，迁移率减小，样品的电导率增大， Seebeck系数减小，Zn置换降低了样品的晶格热导率，晶格热导率随着Zn置换量的增加而减小，在所有ZnxIn1-xSb中，Zn0.01In0.99Sb样品具有最大ZT值，在700K时最大ZT值为0.27。利用熔体旋甩工艺制备了InSb化合物薄带材料，带状产物经SPS烧结制备出具有纳米结构的InSb块体材料，通过熔体旋甩以及SPS烧结后样品均未发生分相现象，EDS分析表明材料成分由于急冷和烧结过程中的挥发存在着微小的波动。FESEM分析表明熔体旋甩在结构中产生了大量的亚微米和纳米尺度的晶粒，且晶粒尺寸随着冷却速率的增加而减小。经熔体旋甩处理烧结样品的电导率有一定程度的降低，而样品的Seebeck系数有大幅度的提高。在材料结构中存在大量的纳米晶，显著增加了晶界对声子的散射，从而导致晶格热导率的显著下降。熔体旋甩制备的样品均获得较高的热电优值。在温度为700K左右样品MS40获得最大的无量纲热电优值ZT为0.49，比未经过熔体旋甩处理的样品提高29%。由于Sb高的饱和蒸汽压，易缺失，研究了通过微调Sb的过量程度并结合熔体旋甩制备工艺制备InSb1+x化合物的微结构和电热传输特性，样品的热电性能得到了优化， InSb1.03样品有最好的综合热电性能，在700K时ZT值达0.59，与Sb未过量的样品相比提高了20%.