中文题名: | TFT-LCD玻璃基板减薄工艺研究 |
姓名: | |
学号: | 1049721100118 |
保密级别: | 公开 |
论文语种: | chi |
学科代码: | 080502 |
学科名称: | 材料学 |
学生类型: | 硕士 |
学位: | 工学硕士 |
学校: | 武汉理工大学 |
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专业: | |
研究方向: | 高分子及复合材料 |
第一导师姓名: | |
第一导师院系: | |
第二导师姓名: | |
完成日期: | 2013-05-30 |
答辩日期: | 2013-05-30 |
中文关键词: | |
中文摘要: |
智能手机的发展对手机屏幕提出了更高的要求,大屏化和轻型化是其趋势。为了适应这种发展趋势,主流的单片玻璃基板的厚度逐渐从0.7mm降低到0.5mm甚至0.3mm以下。因此,在现有的生产条件基础上,需要对玻璃基板进行薄化处理。减薄工艺过程包括:点胶→固化→擦胶→前清洗→蚀刻→后清洗→抛光。目前实际生产过程中采用的化学减薄方法可分为三类:浸泡式,喷洒式和瀑布流式。本文主要研究的是浸泡式减薄法。本文依据化学蚀刻反应机理,通过研究减薄槽内的残余物,确定了以氢氟酸为减薄液在本课题中的化学蚀刻减薄机理,即在玻璃基板减薄过程中有氟硅酸在减薄液中累积。在目前的减薄产线,玻璃基板减薄后容易出现厚度不良和减薄不均的问题。结合产线实际情况,通过对这些品质问题进行分析,发现了蚀刻工艺设置的缺陷。在实习期间进行了跟线数据搜集,通过对减薄槽液成分的研究,发现随着减薄玻璃基板批次的增加,减薄速率下降,氢氟酸浓度下降,氟硅酸浓度明显增加。本课题设计了相关试验,获得了减薄速率变化随槽液成分变化的规律。通过向减薄液中加入KF,有效降低了氟硅酸在减薄液中的累积,是减薄速率变化趋于平稳,可保证玻璃基板减薄后的厚度一致性,为改良产线提供参考。
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中图分类号: | TQ171.6 |
馆藏号: | TQ171.6/0118/2013 |
备注: | 403-西院分馆博硕论文库;203-余家头分馆博硕论文库 |