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中文题名:

 TFT-LCD玻璃基板减薄工艺研究    

姓名:

 王燕飞    

学号:

 1049721100118    

保密级别:

 公开    

论文语种:

 chi    

学科代码:

 080502    

学科名称:

 材料学    

学生类型:

 硕士    

学位:

 工学硕士    

学校:

 武汉理工大学    

院系:

 材料科学与工程学院    

专业:

 材料工程    

研究方向:

 高分子及复合材料    

第一导师姓名:

 罗大兵    

第一导师院系:

 武汉理工大学    

第二导师姓名:

 谭国华    

完成日期:

 2013-05-30    

答辩日期:

 2013-05-30    

中文关键词:

 TFT-LCD ; 基板玻璃 ; 化学减薄    

中文摘要:
智能手机的发展对手机屏幕提出了更高的要求,大屏化和轻型化是其趋势。为了适应这种发展趋势,主流的单片玻璃基板的厚度逐渐从0.7mm降低到0.5mm甚至0.3mm以下。因此,在现有的生产条件基础上,需要对玻璃基板进行薄化处理。减薄工艺过程包括:点胶→固化→擦胶→前清洗→蚀刻→后清洗→抛光。目前实际生产过程中采用的化学减薄方法可分为三类:浸泡式,喷洒式和瀑布流式。本文主要研究的是浸泡式减薄法。本文依据化学蚀刻反应机理,通过研究减薄槽内的残余物,确定了以氢氟酸为减薄液在本课题中的化学蚀刻减薄机理,即在玻璃基板减薄过程中有氟硅酸在减薄液中累积。在目前的减薄产线,玻璃基板减薄后容易出现厚度不良和减薄不均的问题。结合产线实际情况,通过对这些品质问题进行分析,发现了蚀刻工艺设置的缺陷。在实习期间进行了跟线数据搜集,通过对减薄槽液成分的研究,发现随着减薄玻璃基板批次的增加,减薄速率下降,氢氟酸浓度下降,氟硅酸浓度明显增加。本课题设计了相关试验,获得了减薄速率变化随槽液成分变化的规律。通过向减薄液中加入KF,有效降低了氟硅酸在减薄液中的累积,是减薄速率变化趋于平稳,可保证玻璃基板减薄后的厚度一致性,为改良产线提供参考。
中图分类号:

 TQ171.6    

馆藏号:

 TQ171.6/0118/2013    

备注:

 403-西院分馆博硕论文库;203-余家头分馆博硕论文库    

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