智能手机的发展对手机屏幕提出了更高的要求，大屏化和轻型化是其趋势。为了适应这种发展趋势，主流的单片玻璃基板的厚度逐渐从0.7mm降低到0.5mm甚至0.3mm以下。因此，在现有的生产条件基础上，需要对玻璃基板进行薄化处理。减薄工艺过程包括：点胶→固化→擦胶→前清洗→蚀刻→后清洗→抛光。目前实际生产过程中采用的化学减薄方法可分为三类：浸泡式，喷洒式和瀑布流式。本文主要研究的是浸泡式减薄法。本文依据化学蚀刻反应机理，通过研究减薄槽内的残余物，确定了以氢氟酸为减薄液在本课题中的化学蚀刻减薄机理，即在玻璃基板减薄过程中有氟硅酸在减薄液中累积。在目前的减薄产线，玻璃基板减薄后容易出现厚度不良和减薄不均的问题。结合产线实际情况，通过对这些品质问题进行分析，发现了蚀刻工艺设置的缺陷。在实习期间进行了跟线数据搜集，通过对减薄槽液成分的研究，发现随着减薄玻璃基板批次的增加，减薄速率下降，氢氟酸浓度下降，氟硅酸浓度明显增加。本课题设计了相关试验，获得了减薄速率变化随槽液成分变化的规律。通过向减薄液中加入KF，有效降低了氟硅酸在减薄液中的累积，是减薄速率变化趋于平稳，可保证玻璃基板减薄后的厚度一致性，为改良产线提供参考。